站長資訊網(wǎng)在美光、三星先后搞定1Znm工藝的16Gb DDR4 DRAM內(nèi)存芯片后，SK海力士也終于跟上隊伍了。
16Gb DDR4-3200內(nèi)存芯片是當(dāng)前行業(yè)內(nèi)存儲密度最高、速度最快的DRAM產(chǎn)品，預(yù)計明年開始大規(guī)模出貨。
能效指標(biāo)方面，SK海力士稱1Znm相較于1Ynm，生產(chǎn)效率提升了27%；功耗與1Y nm 8Gb DRAM相比，下降了40%。
SK海力士透露，他們在1Znm世代導(dǎo)入了新研發(fā)的電容，還引入新設(shè)計，以提高穩(wěn)定性。
按規(guī)劃，1Z nm很快將應(yīng)用于LPDDR5、HBM3等芯片上，成為更優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的代名詞。
PS：
在內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片公司對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級別。
