臺積電越來越依賴ASML的EUV光刻機：3nm需要20層

臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業，目前投產的工藝包括N7+、N6和N5三代。

其中N7+即第二代7nm，EUV總計4層。即便如此，這也相較于多重曝光也節省了時間，提高了芯片的生產效率。

不過，迭代到5nm后，EUV的層數達到了14層，包括但不限于觸點、過孔以及關鍵金屬層等過程。

而最快2022年投產的3nm，為了實現15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加，ASML（阿斯麥）透露，EUV將超過20層，也就是鰭片和柵極都要引入EUV切割掩模。

阿斯麥CEO Peter Wennink表示，EUV層數增加有很多好處，比如只需要單重曝光而不是DUV設備的多重曝光，對DRAM芯片同樣如此。

為此，臺積電將需要確保EUV光刻機的安裝數量，但他們顯得非常有信心。