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        英特爾至強 Sapphire Rapids 處理器未發(fā)布即遭開蓋:56 核,4 芯片封裝

          1 月 14 日消息,英特爾下一代至強 Sapphire Rapids-SP 處理器尚未發(fā)布,其將采用 Intel 7 10nm 工藝,使用 Golden Cove 架構(gòu)。據(jù)外媒 VideoCardz 報道,德國一位超頻玩家 @Der8auer 想辦法購買到了一片處理器,到手后便進行了開核,并進一步拆下芯片,觀察結(jié)構(gòu)。

        英特爾至強 Sapphire Rapids 處理器未發(fā)布即遭開蓋:56 核,4 芯片封裝

          這名玩家使用加熱臺對處理器升溫,目的是融化內(nèi)部的釬焊金屬。開蓋之后,可以看到內(nèi)部巨大的四顆芯片緊湊排列在一起。

        英特爾至強 Sapphire Rapids 處理器未發(fā)布即遭開蓋:56 核,4 芯片封裝

          這款處理器的名稱為“Xeon vPRO XCC QWP3”,目前不知道具體的參數(shù)。Der8auer 再次對處理器加熱,并嘗試剝離單顆小芯片。從照片可以看出,單顆芯片擁有 16 個核心,四顆共計 60 顆核心。但是英特爾對這代處理器進行了限制,因此最多核心數(shù)量為 56 顆。

        英特爾至強 Sapphire Rapids 處理器未發(fā)布即遭開蓋:56 核,4 芯片封裝

          據(jù)了解,這名玩家通過加熱 CPU 對芯片進行剝離,此時基板已經(jīng)損壞嚴重,有著嚴重的燒焦痕跡。將小芯片放大,可以看到背部密集的焊點,每個焊盤之間的距離最小為 0.053mm,最大為 0.099mm

        英特爾至強 Sapphire Rapids 處理器未發(fā)布即遭開蓋:56 核,4 芯片封裝
        英特爾至強 Sapphire Rapids 處理器未發(fā)布即遭開蓋:56 核,4 芯片封裝

          英特爾 Sapphire Rapid-SP 系列處理器針對 HEDT 高性能計算機推出,預計 2022 還會有 Sapphire Rapids-X 系列處理器一同發(fā)布。

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