站長資訊網今年的閃存峰會，東芝奉上不少干貨。
除了獲得展會最佳的XFMEXPRESS形態固盤、以太網SSD、XL-Flash等，東芝在路線圖中還前瞻了SAS 4接口、PCIe 5.0/6.0標準、甚至是BiCS第四、第五代、第六代、第七代閃存產品，信號帶寬分別高達800MT/s、1200MT/s、1600MT/s和超過2000MT/s。
同時，5bit/cell的PLC（Penta-level cell）閃存也新鮮登場，存儲密度比QLC更高，但對主控、電路設計的要求也更高。如圖所示，PLC閃存需要主控準確控制32路電壓，挑戰相當大。
與MLC、TLC相比，QLC（4bit/cell）已經相當慢，并且讀寫壽命最低。不過，東芝表示，NVMe協議中的新功能如ZNS（分區命名空間）應該有助于緩解其中的一些問題。ZNS設計之初是用于減少寫入放大，減少過載和DRAM高占用，當然，也能提高吞吐量和改善延遲。
另外，從工藝上，東芝也在研發分割式3D存儲工藝，看起來似乎是可以拼接QLC和PLC，以增加容量密度。
