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TRFC值屬于第二小參，表示刷新間隔周期，單位為周期，值越小越好。
DDR3內存通常值為90-120。低于80時，可能導致不穩定。CL、tRCD、tRP和tRAS稱為第一時序，對顆粒性能的影響最明顯，也最重要。 （推薦學習：phpstorm）
首先要內存時序（英語：Memory timings或RAM timings）是描述同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）性能的四個參數：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘周期。
清楚要使計算機有條不紊地工作，對各種操作信號的產生時間、穩定時間、撤銷時間及相互之間的關系都有嚴格的要求。
對操作信號施加時間上的控制，稱為時序控制。只有嚴格的時序控制，才能保證各功能部件組合有機的計算機系統。
內存時序的影響因素：
當將內存時序轉換為實際的延遲時，最重要的是注意是以時鐘周期為單位。如果不知道時鐘周期的時間，就不可能了解一組數字是否比另一組數字更快。
舉例來說，DDR3-2000內存的時鐘頻率是1000 MHz，其時鐘周期為1 ns。基于這個1 ns的時鐘，CL=7給出的絕對延遲為7 ns。
而更快的DDR3-2666（時鐘1333 MHz，每個周期0.75 ns）則可能用更大的CL=9，但產生的絕對延遲6.75 ns更短。
現代DIMM包括一個串行存在檢測（SPD）ROM芯片，其中包含為自動配置推薦的內存時序。
PC上的BIOS可能允許用戶調整時序以提高性能（存在降低穩定性的風險），或在某些情況下增加穩定性（如使用建議的時序）。
注意：內存帶寬是測量內存的吞吐量，并通常受到傳輸速率而非潛伏時間的限制。
通過交錯訪問SDRAM的多個內部bank，有可能以峰值速率連續傳輸。可能以增加潛伏時間為代價來增加帶寬。
具體來說，每個新一代的DDR內存都有著較高的傳輸速率，但絕對延遲沒有顯著變化，尤其是市場上的第一批新一代產品，通常有著較上一代更長的延遲
