站長資訊網(wǎng)在代工市場上，唯一可以和臺(tái)積電抗衡的，就是三星了(Intel高調(diào)殺入但還需進(jìn)一步觀察)，雙方在先進(jìn)工藝進(jìn)展上也是互不相讓，7nm、5nm、3nm、2nm你追我趕。
在最新舉辦的三星代工論壇2021大會(huì)上，三星就披露了最新的工藝進(jìn)展和路線圖。
FinFET晶體管結(jié)構(gòu)潛力幾乎已經(jīng)被挖掘殆盡，三星的下一步是GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個(gè)版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產(chǎn)，3GAP(高性能版)則會(huì)在2023年年初批量生產(chǎn)。
對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。
2nm工藝沒有出現(xiàn)在公開路線圖上，但是三星代工市場策略高級(jí)副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會(huì)在2025年量產(chǎn)。
這是三星第一次透露2nm工藝的規(guī)劃，但三星也警告說，新工藝進(jìn)度還要看客戶的規(guī)劃和部署，所以我們推測，2026年可能是見到三星2nm工藝產(chǎn)品上市的更合理時(shí)間。
臺(tái)積電方面的2nm工藝有望在2024年量產(chǎn)，領(lǐng)先三星一年左右。
特別提醒：本網(wǎng)信息來自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時(shí)聯(lián)系我們，本站將會(huì)在24小時(shí)內(nèi)處理完畢。
