臺積電官方路線圖：3nm明年量產、2nm 2025年再見

　　這兩年，臺積電、三星在先進工藝上你追我趕，下一步比拼的就是3nm、2nm。

　　三星此前已經宣布，3nm 3GAE低功耗版2022年初量產，3nm 3GAP高性能版2023年初量產，2nm 2GAP 2025年量產。

　　臺積電CEO魏哲家最新公開表示，臺積電3nm N3將在今年內風險性試產，2022年下半年大規模量產，2023年第一季度獲得實際收入。

　　臺積電N3 3nm工藝將是N5 5nm之后的全新節點，號稱經過密度可增加70%，同等功耗下性能可提升10-15%，同等性能下功耗可降低25-30%，并且使用更多層的EUV光刻(不低于N5 14層)，因此更加復雜化，整個工藝流程的工序超過1000道。

　　N3還會衍生出一個N3E版本，可以視為增強版，有更好的性能、功耗、良品率，同時設計和IP上完全兼容N3，2024年量產。

　　臺積電的N2 2nm工藝一直比較神秘，官方此前只是確認會考慮使用GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)，但從未明確是否真的上馬。

　　按照魏哲家的最新說法，N2工藝將在2025年量產，并強調無論集成密度還是性能都是業內最好的，但未給出具體指標。

　　之前預計臺積電2nm 2024年就能量產，結果現在節奏也放緩了，和三星基本同步，就看誰的表現更好了，當然還有高昂的成本問題。

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