Intel EUV極紫外光刻設備進廠：沖刺“4nm”工藝

　　位于愛爾蘭萊克斯利普(Leixlip)、投資70億美元的Intel Fab 34晶圓廠迎來重要時刻：一臺光刻膠顯影設備(lithography resist track)緩緩進入工廠，這也是該廠的第一臺巨型芯片制造工具。

　　該設備來自Intel美國俄勒岡州工廠，搭乘飛機越過大西洋，來到了愛爾蘭。

　　這臺設備將與EUV極紫外掃描儀搭檔，首先為硅晶圓覆上精密的涂層，然后進入EUV掃描儀，進行曝光，接著晶圓回到光刻設備，再進行一系列的高精密光顯影、清理操作。

　　一座典型的晶圓廠包含大約1200臺先進制造設備，大部分價值都在百元美元級別。

　　Intel Fab 34晶圓廠2019年動工建設，計劃2023年正式投產，將會把Intel在愛爾蘭的產能翻一番，并為未來生產Intel 4工藝鋪平道路——嚴格來說是Intel 7nm，但是官方重新命名，認為它可以媲美行業4nm水平。

　　Alder Lake 12代酷睿、Raptor Lake 13代酷睿都是Intel 7工藝(10nm ESF)，Meteor Lake 14代酷睿和代號Granite Rapids的下下代至強都將用上Intel 4工藝。

　　官方透露，新工藝研發進展順利，芯片測試已經完美通過，SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規范，去年第二季度還早早完成了Meteor Lake計算單元模塊的流片。

　　Intel現階段正在全球建設、升級晶圓廠，除了愛爾蘭還有美國本土的亞利桑那州、新墨西哥州、俄勒岡州，以及馬來西亞，投資上百億美元，很快還會宣布在歐洲、美國的更多晶圓廠建設計劃。

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