站長資訊網先前傳出三星電子良率差，影響高通旗艦芯片“Snapdragon 8 Gen 1”表現，高通因而轉單臺積電。中國臺灣媒體最新消息稱，改由臺積電代工后，增強版“Snapdragon 8 Gen 1 Plus”耗電量仍高于預期，高通恐怕得被迫降頻。
3 月 30 日高通大跌 5.18%，收 152.73 美元。今年以來，高通挫低 16.48%。
NotebookCheck 30 日報導，韓國科技論壇 Meeco 的可靠爆料人，引述消息人士說法稱，高通增強版旗艦芯片 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 的 Cortex X2 核心相當耗能;高頻率吃電狀況尤為嚴重。外界原以為高通處理器耗電，是因三星制程欠佳，雖然此說法有一定程度真實性，新消息顯示，高通 Arm 核心設計或許也導致處理器表現差強人意。
高通可能得降頻處理器 Cortex X2 核心。這表示 Snapdragon 8 Gen 1 和 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 性能差異不會太大。盡管如此，有臺積電加持，Plus 增強版芯片表現仍有望優于非 Plus 系列。
外界盛傳 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 將在 6 月發布。通常一個月后，采用此芯片的智能手機就會問世。多款中國大陸廠商的旗艦機將使用此處理器，包括 OnePlus 10 Ultra、華為 Mate 50、小米 Mix Fold 2、小米 12 Ultra。
特別提醒：本網信息來自于互聯網，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關內容。本站不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如若本網有任何內容侵犯您的權益，請及時聯系我們，本站將會在24小時內處理完畢。
